Micron lança HBM3E de 12 camadas e SOCAMM com LPDDR5X para chips de alto desempenho da NVIDIA

A Micron está colaborando com a NVIDIA para entregar produtos de memória de alto desempenho para chips como HGX B300 NVL16 e GB300 NVL72. A empresa anunciou as memórias HBM3E de 12 camadas e SOCAMM baseadas em LPDDR5X para impulsionar o desempenho e a eficiência das plataformas de Inteligência Artificial (IA). Esses avanços prometem otimizar as capacidades dos chips mais recentes da NVIDIA, oferecendo maior capacidade e menor consumo de energia para datacenters.

Micron Apresenta Memórias HBM3E e SOCAMM para Chips NVIDIA de Alto Desempenho

Fabricantes líderes de memória, como Micron, SK Hynix e Samsung, têm focado em entregar seus produtos mais poderosos para chips de alto desempenho, como as GPUs de data center Blackwell da NVIDIA. Seguindo a SK Hynix, que recentemente introduziu suas memórias HBM3E e SOCAMM, a Micron também anunciou suas memórias HBM3E de 12 camadas e SOCAMM baseadas em LPDDR5X durante o evento GTC 2025.

Enquanto a SK Hynix tem sido uma fornecedora chave de chips de memória HBM3 para a NVIDIA, a Micron também estabeleceu uma parceria com a NVIDIA para fornecer suas memórias HBM3E de 12 camadas e SOCAMM para chips de alto desempenho. O LPDDR5X SOCAMM (small outline compression attached memory module) da Micron será utilizado no GB300 Grace Blackwell Ultra Superchip da NVIDIA, enquanto sua memória HBM3E 12H de 36 GB será utilizada nas plataformas HGX B300 NVL16 e GB300 NVL72.

Esses são os mais recentes e poderosos chips Blackwell apresentados pela NVIDIA no evento GTC. Além disso, a Micron também está fornecendo chips HBM3E 8-High de 24 GB para a NVIDIA para as plataformas HGX B200 e GB200 NVL72. A memória HBM3E de 12 camadas possui 12 dies de DRAM empilhados verticalmente, alcançando 12 GB a mais de capacidade de memória em comparação com a variante de 8 camadas. Como as cargas de trabalho de IA são intensivas em memória, os chips de memória de 36 GB aumentarão drasticamente a capacidade de memória nas GPUs da NVIDIA.

Em comparação com os stacks HBM3E de 8 camadas, a capacidade total de memória aumenta em 50% com a memória HBM3E de 12 camadas. Isso permite que a GPU Blackwell Ultra execute modelos maiores, e o Meta Llama 405B agora pode caber em uma única GPU. A nova memória HBM3E não só terá maior capacidade e largura de banda de memória, mas também consumirá 20% menos energia, tornando-a ideal para data centers.

Detalhes Técnicos e Aplicações do SOCAMM

O SOCAMM baseado em LPDDR5X é uma excelente opção também para HPC (High-Performance Computing). Ele mede apenas 14x90mm, ocupando quase 1/3 do espaço dos RDIMMs, e pode oferecer até 128 GB por módulo utilizando stacks de 16 dies de memória LPDDR5X. O SOCAMM é significativamente mais eficiente em termos de energia do que os RDIMMs regulares e oferece mais de 2,5 vezes a largura de banda.

Atualmente, a Micron possui um portfólio poderoso que consiste em memória GDDR7 (usada nas GPUs da série NVIDIA Blackwell RTX 50), RDIMMs e MRDIMMs DDR5 de alta capacidade, HBM3E e SOCAMM, bem como soluções de armazenamento líderes do setor, como os SSDs Micron 9550 NVMe e 7450 NVMe. Para saber mais sobre inovações em armazenamento, a Samsung também lançou seu SSD 9100 PRO com padrão PCI-E 5.0, entregando até 14.800 MB/s de velocidades de leitura sequencial.

Este conteúdo foi auxiliado por Inteligência Artificiado, mas escrito e revisado por um humano.

Via Wccftech

André Luiz

André atua como jornalista de tecnologia desde 2009 quando fundou o Tekimobile. Também trabalhou na implantação do portal Tudocelular.com no Brasil e já escreveu para outros portais como AndroidPIT e Techtudo. É formado em eletrônica e automação, trabalhando com tecnologia há 26 anos.