Samsung anuncia chip HBM4 ainda mais rápido para início de 2026

A Samsung apresentou seu primeiro chip de memória de alta largura de banda (HBM4) de sexta geração na feira SEDEX 2025, na Coreia do Sul. Mas a empresa não para por aí. Há informações de que a Samsung já desenvolveu uma versão ainda mais rápida desse chip HBM4. Ele será revelado no início do próximo ano, durante a International Solid-State Circuits Conference (ISSCC).

O Chip HBM4 da Samsung: Mais Rápido e Eficiente

Um relatório do portal TheElec aponta que a Samsung mostrará um chip HBM4 mais veloz na feira ISSCC. O evento acontece entre 15 e 19 de fevereiro de 2026, em São Francisco, Califórnia, nos Estados Unidos. Esta revelação promete avanços significativos para o setor de semicondutores e computação de alta performance.

Em um evento para a imprensa da ISSCC 2026, realizado em Seul, Kim Dong-gyun, da SK Hynix e membro do comitê coreano da ISSCC, confirmou essas novidades. Ele afirmou que tanto a Samsung quanto a SK Hynix apresentarão seus novos chips HBM4 no próximo ano, aumentando as expectativas do mercado.

O primeiro chip HBM4 da Samsung tinha 36GB e alcançava uma largura de banda de 2.4TB/s. A versão que está por vir, no entanto, deve chegar a até 3.3TB/s. Isso representa um aumento de 37.5% na velocidade em comparação com o chip anterior, mostrando um salto considerável em capacidade. A Samsung tem se focado em melhorias que também aumentam a capacidade e reduzem o consumo de memória.

Este avanço na performance é resultado de uma arquitetura interna totalmente nova. A estrutura de empilhamento e a interface foram redesenhadas. Esse trabalho não só torna o chip mais rápido, mas também melhora sua eficiência geral, um ponto crucial para aplicações que exigem muito processamento.

Inovações em Design e Eficiência

Durante o mesmo evento para a imprensa, Kim Dong-gyun comentou sobre a evolução da memória DRAM. Segundo ele, a DRAM está sempre evoluindo para atender às crescentes demandas por largura de banda e eficiência energética. Isso é vital para as novas tecnologias.

Os chips HBM4 da Samsung e as memórias LPDDR6 e GDDR7 da SK Hynix são exemplos dessa tendência. Eles mostram como as empresas estão se adaptando para criar componentes que ofereçam mais poder com menor gasto de energia. Essa busca por eficiência é contínua e impacta diretamente o desempenho de CPUs e outros sistemas.

A Samsung enfrentou desafios no segmento HBM, incluindo questões relacionadas ao aquecimento. No entanto, a empresa tem aprimorado continuamente seus chips através de melhorias no design. Essa resiliência permitiu que superassem os obstáculos e continuassem a inovar, assim como fazem com o SSD T7 Resurrected.

Para seus chips HBM4, a Samsung optou pelo uso de memória 1c DRAM. Isso se diferencia das concorrentes como Micron e SK Hynix, que utilizam 1b DRAM em seus produtos. Essa escolha de tecnologia pode ser um diferencial importante, assim como o tamanho da cache em processadores.

Essa abordagem da Samsung com a 1c DRAM tem o potencial de entregar um desempenho superior. Isso se aplica quando comparamos com os chips HBM4 fabricados pelas marcas rivais. É uma estratégia para manter a competitividade e a liderança no mercado de memórias.

A inovação contínua no desenvolvimento de chips de memória de alta performance é essencial. Ela impulsiona avanços em inteligência artificial, servidores de dados e computação de alto desempenho, áreas que dependem de velocidade e eficiência extremas para funcionar.

A busca por maior largura de banda e menor consumo de energia mostra o foco do setor. A expectativa é que essas novas gerações de HBM continuem a moldar o futuro da tecnologia, habilitando sistemas cada vez mais potentes e capazes.

Este conteúdo foi auxiliado por Inteligência Artificiado, mas escrito e revisado por um humano.

Via SamMobile