A conferência de tecnologia GTC da NVIDIA foi o centro das atenções esta semana, com a expectativa de que a principal fornecedora mundial de aceleradores de IA revelasse seus produtos de próxima geração. O Rubin Ultra, sucessor da série Blackwell, foi confirmado para o segundo semestre de 2027, trazendo a memória HBM4e. A SK Hynix tem sido a principal fornecedora de memória HBM3E para a NVIDIA, enquanto a memória de alta largura de banda da Samsung ainda não obteve aprovação.
A SK Hynix aproveitou a oportunidade para mostrar um protótipo de seus módulos HBM4 da SK Hynix de próxima geração na GTC.
## SK Hynix Apresenta a Próxima Geração de Memória HBM4 na GTC 2025
Há alguns meses, foi divulgado que a Samsung havia mudado o foco para os chips HBM4, já que a SK Hynix praticamente dominou o mercado de módulos da geração atual. A Samsung quer garantir que não se repitam os desafios que enfrentou com a HBM3, à medida que a NVIDIA e outros projetistas de chips de IA lançam produtos de próxima geração nos próximos anos.
Atualmente, a Samsung estabeleceu internamente a meta de concluir o procedimento de Aprovação de Prontidão de Produção para chips HBM4 no primeiro semestre de 2025. Isso representa uma antecipação de seis meses, já que a Samsung planejava originalmente obter essa aprovação até o final deste ano.
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Enquanto isso, a SK Hynix marcou presença na GTC 2025, exibindo sua HBM3E de 12 camadas, que atualmente é a memória de alta largura de banda mais avançada em produção. A SK Hynix espera iniciar a produção em massa de seus chips HBM4 no segundo semestre deste ano.
Tem sido um ano difícil para a Samsung. Apesar de ter recebido um autógrafo de “Aprovado por Jensen” do CEO da NVIDIA, Jensen Huang, na GTC 2024, seus módulos HBM3E não conseguiram entrar na cadeia de suprimentos da empresa, o que pode custar bilhões de dólares em receita perdida para a Samsung. A SK Hynix continua a mostrar sua força na indústria, enviando um sinal claro à Samsung de que está pronta para repetir com a HBM4 o que fez com a HBM3.
### Detalhes da Exibição da SK Hynix na GTC 2025
Durante a GTC 2025, a SK Hynix não apenas apresentou um protótipo de seus futuros módulos HBM4 da SK Hynix, mas também destacou sua atual linha de produtos de memória de alta largura de banda. A empresa exibiu sua memória HBM3E de 12 camadas, que já está em produção e é considerada a mais avançada do mercado. Essa demonstração serviu para reforçar a posição da SK Hynix como líder na tecnologia de memória, crucial para aplicações de inteligência artificial e computação de alto desempenho.
A SK Hynix também aproveitou a oportunidade para discutir seus planos de produção em massa para os chips HBM4, com o objetivo de iniciar a fabricação no segundo semestre do ano. Esse anúncio demonstra a confiança da empresa em sua capacidade de atender à crescente demanda por memória de alta largura de banda, impulsionada pelo avanço contínuo da inteligência artificial.
A exibição da SK Hynix na GTC 2025 sublinhou a importância da inovação contínua no campo da memória, bem como a crescente competição entre os principais fabricantes. Com a Samsung também se esforçando para lançar seus chips HBM4, a corrida para fornecer a próxima geração de memória de alta largura de banda está esquentando, prometendo avanços significativos no desempenho e nas capacidades das futuras aplicações de IA.
Primeira: Este conteúdo foi auxiliado por Inteligência Artificiado, mas escrito e revisado por um humano.
Via SamMobile
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