A SK Hynix iniciou a distribuição das primeiras amostras do mundo da HBM4 com 12 camadas, com capacidade de até 36 GB e taxa de dados de 2 TB/s. Além disso, a empresa também apresentou a HBM3e de 12 Hi e a SOCAMM. Este lançamento reforça a posição da SK Hynix como uma das principais inovadoras no mercado de memórias de alto desempenho, impulsionando avanços significativos em aplicações de inteligência artificial e computação de alto desempenho.
## SK Hynix Apresenta Memórias de Próxima Geração
A SK Hynix tem se destacado no desenvolvimento de produtos de memória inovadores para atender às demandas de hardware de computação de ponta, como GPUs de data centers de alto desempenho. Durante o evento GTC 2025, realizado de 17 a 21 de março em San Jose, Califórnia, a empresa anunciou o lançamento de suas memórias HBM3E de 12 high e SOCAMM, consolidando sua posição na vanguarda da tecnologia de memória.
A empresa tem competido fortemente com gigantes como Samsung e Micron, e se destaca na fabricação da mais recente SOCAMM (Small Outline Compression Attached Memory Module) para os poderosos chips de IA da NVIDIA. Essa memória é baseada na popular memória CAMM, utilizada nos chips da NVIDIA, e se destaca por ser uma DRAM de baixo consumo de energia.
A memória SOCAMM da SK Hynix promete aumentar drasticamente a capacidade de memória, elevando o desempenho em cargas de trabalho de IA e mantendo a eficiência energética. Além da SOCAMM, a SK Hynix também apresentou sua memória HBM3E de 12 High, fornecida à NVIDIA para a fabricação das mais recentes GPUs Blackwell GB300. A SK Hynix garantiu um acordo exclusivo com a NVIDIA para o chip de IA GB300, o que lhe confere uma vantagem significativa sobre seus concorrentes.
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A SK Hynix já havia iniciado a produção em massa da HBM3E 12H em setembro do ano anterior, enquanto a Samsung deve levar alguns meses a mais para alcançar a SK Hynix. Os principais executivos da SK Hynix aproveitaram o evento GTC para apresentar os produtos, incluindo o CEO Kwak Noh-Jung, o Presidente e Chefe de IA Infra CMO Juseon Kim e o Chefe Global de S&M, Lee Sangrak.
## Amostras da HBM4 com 12 camadas
As amostras foram entregues antes do previsto, refletindo a superioridade tecnológica e a experiência de produção da SK Hynix, que lidera o mercado de HBM. A empresa já iniciou o processo de certificação para seus clientes e espera concluir os preparativos para a produção em massa dos produtos HBM4 com 12 camadas no segundo semestre deste ano, fortalecendo sua posição no mercado de memória para IA de próxima geração.
O produto implementou uma largura de banda capaz de processar mais de 2 TB (terabytes) de dados por segundo pela primeira vez. Isso se traduz no processamento de dados equivalentes a mais de 400 filmes em full HD (5GB cada) em um segundo, o que é mais de 60% mais rápido do que a geração anterior, HBM3E.
A SK Hynix também adotou o processo Advanced MR-MUF para atingir a capacidade de 36GB, a maior entre os produtos HBM de 12 camadas. Este processo, cuja competitividade foi comprovada através da produção bem-sucedida da geração anterior, ajuda a evitar a deformação do chip e maximiza a estabilidade do produto, melhorando a dissipação de calor.
A empresa também exibiu sua avançada memória HBM4 de 12 high, que está em desenvolvimento e sendo amostrada para clientes importantes, incluindo a NVIDIA, que a utilizará na série de GPUs Rubin. A memória HBM4 de 12 Hi oferece até 36 GB de capacidade por pilha e apresenta taxas de dados de até 2 TB/s.
A empresa planeja iniciar a produção em massa da memória HBM4 de 12H no segundo semestre de 2025, utilizando o nó de processo de 3nm da TSMC. Além disso, outras empresas estão investindo em tecnologias promissoras, como a Halliday que levanta US$ 20 milhões para desenvolver agentes de IA seguros em blockchain.
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