Transistor inovador da China supera chips americanos

Pesquisadores da China criam transistor que promete transformar tecnologia de semicondutores, superando líderes de mercado.
Atualizado há 9 horas atrás
Transistor inovador da China supera chips americanos
Transistor chinês inova em semicondutores e desafia gigantes do setor. (Imagem/Reprodução: Revistaforum-com-br)
Resumo da notícia
    • Pesquisadores da Universidade de Pequim desenvolveram um transistor avançado que supera chips da Intel e TSMC.
    • Isso pode melhorar a eficiência energética e o desempenho dos dispositivos que você usa.
    • O novo transistor pode impactar a indústria tecnológica, influenciando smartphones e data centers.
    • A pesquisa pode sinalizar um movimento para a independência tecnológica da China na área de semiconductores.
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Pesquisadores da Universidade de Pequim desenvolveram um transistor que promete revolucionar a indústria de semicondutores. O dispositivo, construído com folhas ultrafinas de bismuto, supera em desempenho os chips mais avançados da Intel e TSMC, segundo estudo publicado na revista Nature Materials.

Uma nova arquitetura para superar limites

A equipe liderada pelo professor Peng Hailin abandonou os designs tradicionais baseados em silício. O novo transistor, apelidado de “mudança de faixa”, utiliza materiais 2D como oxicalcogeneto e óxido de seleneto de bismuto em uma arquitetura GAAFET.

Essa estrutura envolve completamente o canal do transistor, permitindo melhor controle da corrente elétrica e reduzindo perdas de energia. Nos testes, o dispositivo operou 40% mais rápido que os chips de 3 nm atuais, consumindo 10% menos energia.

Desafios geopolíticos e tecnológicos

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O desenvolvimento surge em um momento crucial para a China, que enfrenta restrições no acesso às máquinas de litografia mais avançadas. Empresas como a AMD e Intel dominam o mercado global, enquanto a China busca independência tecnológica.

O bismuto oferece vantagens significativas: maior mobilidade de elétrons, menor resistência interna e redução no calor gerado. Essas características são essenciais tanto para smartphones quanto para data centers.

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Enquanto a TSMC avança na miniaturização, outras empresas como IBM exploram alternativas como nanotubos de carbono. A equipe chinesa já testa protótipos de unidades lógicas e afirma que a produção pode ser adaptada às fábricas existentes.

O professor Peng destacou que os GAAFETs de materiais 2D podem competir com os transistores de silício atuais. No entanto, o caminho até a produção em massa ainda pode levar anos, como ocorre com outras tecnologias emergentes.

A corrida pelos semicondutores do futuro parece estar se tornando uma disputa para superar completamente o silício, não apenas para reduzi-lo. Enquanto isso, a demanda por profissionais qualificados na área continua crescendo globalmente.

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Este conteúdo foi auxiliado por Inteligência Artificial, mas escrito e revisado por um humano.

Via Revista Forum

André atua como jornalista de tecnologia desde 2009 quando fundou o Tekimobile. Também trabalhou na implantação do portal Tudocelular.com no Brasil e já escreveu para outros portais como AndroidPIT e Techtudo. É formado em eletrônica e automação, trabalhando com tecnologia há 26 anos.