O **Processo 18A da Intel** está dando o que falar! As últimas notícias indicam que a densidade de SRAM desse processo está no mesmo nível do N2 da TSMC. Especula-se que essa seja uma grande virada para a IFS e suas ambições no mundo dos semicondutores. Será que a Intel está se preparando para um retorno triunfal?
A seguir, vamos detalhar o que está por trás desse possível sucesso e o que isso pode significar para o futuro da tecnologia.
O que torna o Processo 18A da Intel tão especial?
Parece que a maré está virando a favor da Intel! Os últimos relatórios mostram que a empresa está ganhando força no mercado de chips. Além do apoio político que a empresa tem recebido, as sessões da ISSCC revelaram que os processos de ponta da TSMC e da Intel estão competindo em densidade de SRAM. Isso mostra que a distância entre as duas empresas diminuiu bastante, pelo menos em um aspecto importante.
Um dos maiores destaques do **Processo 18A da Intel** é o uso do BSPDN (Backside Power Delivery), que leva o processo de fornecimento de energia para a parte de trás do wafer. Essa é uma das primeiras implementações desse tipo na indústria, e promete melhorar a eficiência energética e a integridade do sinal.
Leia também:
Um funcionário da fábrica da Intel segura um wafer com a tecnologia Foveros 3D em Hillsboro, Oregon, em dezembro de 2023. Em fevereiro de 2024, a Intel Corporation lançou a Intel Foundry como a primeira fundição de sistemas do mundo para a era da IA, oferecendo liderança em tecnologia, resiliência e sustentabilidade. (Crédito: Intel Corporation)
Detalhes técnicos do Processo 18A da Intel
As versões de “alta densidade” do **Processo 18A da Intel** estão apresentando uma densidade de macro bit de 38,1 Mb/mm², mesmo com a configuração de array grande. É importante lembrar que diferentes arranjos de células SRAM podem gerar densidades variadas, mas, no geral, as perspectivas para o Processo 18A da Intel parecem promissoras.
No entanto, ainda é cedo para tirar conclusões definitivas. O teste final será a produção de chips e as taxas de rendimento da Intel, que serão cruciais para determinar o sucesso do processo.
A TSMC também divulgou detalhes sobre seu processo N2, revelando uma melhoria de 12% na densidade de SRAM devido à integração da tecnologia GAA. A SRAM de alto desempenho teve um aumento ainda maior, com uma melhoria de 18%. A principal mudança no N2 é a transição da tecnologia FinFET para um “nanosheet” N2 dedicado, o que permitiu mais customização do processo e um controle mais preciso em comparação com a implementação FinFET.
A competição entre TSMC e Intel
A corrida entre TSMC e Intel no mercado de semicondutores está cada vez mais acirrada, e a competição promete ser ainda mais intensa. No entanto, o fator decisivo será o desempenho dos processos quando entrarem na cadeia de produção.
Este conteúdo foi auxiliado por Inteligência Artificial, mas escrito e revisado por um humano.
