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- Pesquisadores da Universidade de Pequim desenvolveram um transistor sem silício que promete superar chips de Intel, TSMC e Samsung.
- Esse avanço pode beneficiar dispositivos eletrônicos, oferecendo maior eficiência energética e desempenho.
- A nova tecnologia pode impactar o mercado global de chips, obrigando empresas a se adaptarem rapidamente.
- Esta inovação poderá acelerar a transição para uma tecnologia mais sustentável em eletrônicos.
Pesquisadores da Universidade de Pequim desenvolveram um transistor sem silício que promete superar os chips mais avançados de Intel, TSMC e Samsung. A inovação usa um material bidimensional chamado bismuto oxisseleneto e representa uma mudança significativa na arquitetura de chips.
O novo transistor emprega um design gate-all-around (GAAFET), onde o portão envolve completamente a fonte – diferente da tecnologia FinFET tradicional, que oferece apenas cobertura parcial. Essa estrutura de contato total reduz vazamentos de energia e permite maior controle sobre o fluxo de corrente, melhorando o desempenho.
Desempenho superior em testes
Segundo a equipe de pesquisa, o transistor opera até 40% mais rápido que os chips de 3nm da Intel e consome 10% menos energia. Os testes foram realizados nas mesmas condições usadas para processadores comerciais. Os resultados, publicados na Nature Materials, sugerem que este pode ser o transistor mais eficiente e poderoso já criado.
O professor Peng Hailin, líder da pesquisa, descreve a inovação como uma mudança de direção, não apenas uma melhoria nos materiais existentes. O design evita a pilha vertical típica dos FinFETs, assumindo uma estrutura semelhante a uma ponte entrelaçada. Isso ajuda a superar desafios de miniaturização conforme os chips se aproximam de níveis sub-3nm.
Materiais revolucionários
Dois novos compostos à base de bismuto impulsionam a descoberta: Bi₂O₂Se como semicondutor e Bi₂SeO₅ como dielétrico de porta. Ambos possuem baixa energia de interface, reduzindo o espalhamento de elétrons e permitindo fluxo quase sem resistência. “Isso permite que os elétrons fluam com quase nenhuma resistência, como água através de um cano liso”, explicou Peng.
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Importante destacar que os pesquisadores afirmam que o transistor pode ser fabricado usando a infraestrutura existente de semicondutores, facilitando potencialmente a produção em larga escala. Eles já usaram o design para criar pequenas unidades lógicas. Se comercializado, esse desenvolvimento pode perturbar significativamente o mercado global de chips e acelerar a transição para tecnologias que não usam silício.
A Samsung, que recentemente anunciou o Galaxy S25 Edge, e outras gigantes da tecnologia podem se beneficiar dessa inovação em seus futuros dispositivos. Enquanto isso, a AMD também avança com novas arquiteturas de GPU, como mostrado no anúncio recente da GFX13.
Este conteúdo foi auxiliado por Inteligência Artificial, mas escrito e revisado por um humano.
Via The Express Tribune
