SK Hynix apresenta nova geração de chips DDR5 com velocidade nativa de 7200 MT/s

SK Hynix revela chips DDR5 2ª geração com velocidade nativa de 7200 MT/s para futuras plataformas.
Atualizado há 9 horas
SK Hynix apresenta nova geração de chips DDR5 com velocidade nativa de 7200 MT/s
(Imagem/Reprodução: Wccftech)
Resumo da notícia
    • Novos chips DDR5 da SK Hynix, com código AKBD e marca X021, foram revelados online com velocidade de 7200 MT/s.
    • Você pode esperar melhorias no desempenho de computadores com esses módulos de memória DDR5 avançados.
    • Esses chips impactam diretamente a evolução dos processadores e sistemas que suportam DDR5 de alta velocidade.
    • A estabilidade em altas frequências depende também do design da placa de circuito, importante para desempenho confiável.
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Novos chips de memória da SK Hynix, identificados pela marca “X021” e o código “AKBD”, apareceram na internet, sinalizando a chegada de uma nova geração de memória DDR5. Esses componentes prometem velocidades nativas de até 7200 MT/s, um avanço que pode impactar plataformas de computadores futuras. O surgimento dessas informações vem de grupos online dedicados a entusiastas de hardware.

Novos Chips de Memória DDR5 SK Hynix ‘A-Die’ Revelam Potencial de 7200 MT/s

A próxima geração de chips de memória DDR5 da SK Hynix foi avistada recentemente, com detalhes compartilhados no grupo do Facebook Clock’EM UP, por Kevin Wu, da Team Group. O componente em questão carrega a marca X021, que indica a segunda geração do A-die de 3Gb. Este design sucederá a variante M-die de 3Gb, que atualmente equipa muitos dos módulos DDR5 disponíveis no mercado.

O código de peça “AKBD” que acompanha o chip é uma pista importante sobre suas capacidades. Seguindo a convenção de nomenclatura da SK Hynix, pares de letras como EB, GB e HB já corresponderam a velocidades JEDEC de 4800, 5600 e 6400 MT/s, respectivamente. Com base nesse padrão, a nova designação “KB” aponta para uma velocidade nativa de 7200 MT/s, informação que Kevin Wu também confirmou em uma resposta.

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Essa especificação se alinha com o roteiro de plataformas da Intel para o futuro. Os próximos processadores Arrow Lake Refresh e Panther Lake da Intel, por exemplo, são esperados para oferecer suporte à velocidade DDR5 de 7200 MT/s, conforme o plano da empresa. Isso representa um aumento considerável em relação aos padrões anteriores, como o DDR5-5600 do Raptor Lake e o DDR5-6400 do Arrow Lake.

Diante disso, os novos chips A-Die têm o potencial de formar a base para os próximos kits de memória de alta frequência, projetados para os futuros processadores Intel. Embora a SK Hynix ainda não tenha feito um anúncio oficial sobre o A-Die de 3Gb, as observações fornecem um vislumbre claro do que está por vir para a memória de alto desempenho.

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Desafios na Estabilidade de Alta Velocidade e Soluções de Design

Apesar do potencial de velocidade, um ponto levantado por um usuário é que o módulo observado parece utilizar uma PCB de 8 camadas. Este tipo de placa pode apresentar desafios para manter a estabilidade em velocidades de memória muito altas. Embora os novos ICs A-Die sejam capazes de atingir grandes velocidades, as PCBs de 8 camadas costumam ter dificuldades em sustentar velocidades acima de 8000 MT/s de forma consistente.

Nesse cenário, o fator limitante não está no próprio chip, mas sim na integridade do sinal e nas restrições de fornecimento de energia impostas pelas PCBs de menor número de camadas. A estabilidade em altas frequências é essencial para garantir o desempenho e a confiabilidade do sistema, e as placas de circuito impresso desempenham um papel central nesse aspecto, como alguns usuários já notaram ao testar processadores.

Para kits de RAM DDR5 de alto desempenho, é comum o uso de PCBs de 10 ou até 12 camadas. Essas placas oferecem caminhos de sinal mais limpos, o que é crucial para alcançar e manter velocidades de memória mais elevadas. Já vimos entusiastas ultrapassando a marca de 12.000 MT/s e até mesmo o recorde oficial de 13.000 MT/s recentemente.

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Portanto, para que os fabricantes de memória realmente aproveitem o potencial dos novos chips A-Die “AKBD”, será necessário implementar PCBs de 10 ou 12 camadas. Esta abordagem permitirá que o silício mais recente opere em todo o seu potencial, entregando uma experiência premium e de alta performance, especialmente com as plataformas que estão por vir.

Características
Tipo de Die SK Hynix 3Gb A-Die (2ª geração)
Marcação X021
Código de Peça AKBD
Velocidade Nativa (Especulada) 7200 MT/s (JEDEC)
Plataformas Suportadas Arrow Lake Refresh, Panther Lake

O surgimento desses chips de memória DDR5 da SK Hynix e suas especificações de alta velocidade indicam um progresso importante no setor de componentes para computadores. À medida que as plataformas de processadores evoluem, a memória RAM precisa acompanhar, e esses desenvolvimentos apontam para um futuro onde sistemas mais rápidos e eficientes estarão ao nosso alcance. A colaboração entre fabricantes de chips e desenvolvedores de placas-mãe será fundamental para desbloquear todo o potencial dessas novas tecnologias.

Este conteúdo foi auxiliado por Inteligência Artificial, mas escrito e revisado por um humano.

André atua como jornalista de tecnologia desde 2009 quando fundou o Tekimobile. Também trabalhou na implantação do portal Tudocelular.com no Brasil e já escreveu para outros portais como AndroidPIT e Techtudo. É formado em eletrônica e automação, trabalhando com tecnologia há 26 anos.